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LST-200H型半自动共焦平整度测试仪

Wafer Flatness Analyzer

  

测量原理（Measurement Principle）

本机采用白光共焦传感器扫描法进行表面形貌测量，经过计算得到Wafer几何尺寸特征值。

功能设计(Function)

本机适用于测量4"、6"、8"碳化硅（SIC）、金刚石(Diamond)、氧化镓（GaOx）蓝宝石(Sapphire)、碳酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(LnP)、硅(Si)、锗(Ge)、陶瓷(Ceramic)等二、三、四代半导体材料、玻璃(Glass)  & 金属材料(Metal)的微观表面形貌特征。可以精确获取THK、TTV、TIR、WARP、SORI和BOW等几何参数。

性能参数(Specification)

Parameter	Value
分辨率（Resolution）	0.05μm
传感器重复性（Repeatability）	0.20μm
测量精度（Accuracy）	±0.5μm（双抛片）
测量点数（Measured Data Points）	1个/50μm
厚度精度（Thickness）	±0.5μm（双抛片）
测试速度（Speed）	35s/片（米字模式）

 

环境要求(Enviromental Requirements)

仪器外扩：L920*W800*H1370(MM)

仪器重量： 500Kg

电源：AC220V/50HZ/1KW（带地线/空间无强磁干扰）

洁净度：万级（含）以上（环境内无酸碱气体）

地面：隔振地面

温/湿度：23℃±2℃/≤70%；无水气凝结

 

操作界面(Main Interface)

操作界面如下图所示，界面简单，便于操作。

 

  

 

结果界面(Result Interface)

 

  

 

 

北京三禾泰达技术有限公司

Beijing Sanpower Electronics Co., Ltd.

地址：北京市经开区兴贸一街7号院U谷科创中心C座101

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