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设备性能及技术参数： 1.设备功能 实现全自动对碳化硅、单晶硅、多晶硅、锗、砷化镓、蓝宝石、陶瓷板、手机面板玻璃、蓝玻璃、石英晶体片材等各种 WAFER 平板材料厚度等几何特征及电学参数的精确测量及记录。
2.适用范围
可用于测量工件尺寸为 Φ2---Φ8（INCH）直径的圆形及方型晶片或其它任意材质的平板。
3.测量精度及量程
厚度量程：100---1800um，测量精度与 WAFER 表面光洁度有些许联系， 即：
测量重复精度（半导体类双拋表面 WAFER）：±0.5um ;
测量重复精度（半导体类研磨表面 WAFER）: ±1um ; |
测量重复精度（蓝宝石类单拋表面 WAFER）：±2um ; 4.工作模式选择
本机共有五种测量模式以对应用户不同的需求。
4.1 标准一电测量：按照半导体行业标准对 WAFER 中心点的厚度进行测量。
4.2 标准 5 点测量：按照半导体行业标准对 WAFER 的靠近边沿的 4 点（左上、左下、右上及右下）及中心点的厚度进行测量。
4.3 企业内部标准一点测量：用户自己定义的 WAFER 缺口附近的一个点的厚度进行测量。
4.420 点以内随机点测：用户自己根据生产需要可以在 20 个点以内，用鼠标在 WAFER 上选择任意位置并对其厚度进行测量。
4.5 连续点测量：在由两个端点确定的一条直线路径上可以进行 100 点的连续厚度测量以检查晶片的表面形态。
5.分选速度
为了保证不造成对 WAFER 表面造成损伤，研究人员建议的安全分选速度为：
>单点或中心测量模式速度: ≥130 片/小时
>标准 5 点测量速度：≥110 片/小时
